õhukese (mõne aatomkihi paksuse) kile saamise protsess/operatsioon pindematerjali atomisatsiooniks gaasifaasi keemilist protsessi kasutades (vrd aatomkihtepitaksia), a thin-film deposition technique based on sequential use of gas-phase chemical process (compare: atomic layer epitaxy), метод осаждения тонких плёнок, основывающийся на поочерёдном применении газофазных химических процессов (см. атомный слой, химическое осаждение из паровой фазы)

õhukese (mõne aatomkihi paksuse) kile saamise protsess/operatsioon pindematerjali atomisatsiooniks gaasifaasi keemilist protsessi kasutades (vrd aatomkihtepitaksia), a thin-film deposition technique based on sequential use of gas-phase chemical process (compare: atomic layer epitaxy), метод осаждения тонких плёнок, основывающийся на поочерёдном применении газофазных химических процессов (см. атомный слой, химическое осаждение из паровой фазы)