осаждение из газовой фазы под воздействием плазмы, плазменно-химическое осаждение из газовой фазы, плазмостимулированное газофазное осаждение, плазмохимическое осаждение из газовой фазы, плазмохимическое осаждение из паровой фазы, ПХГФО, усиленное плазмой химическое осаждение из паров, химическое осаждение паров или газов в плазменной среде
keemiline aursadestuspindamisprotsess/-operatsioon (CVD), mille korral gaasiliste lähteproduktide lagunemine toimub aluspinna läheduses genereeritavas plasmas; tahked reaktsiooniproduktid sadestatakse, a chemical vapor deposition (CVD) process that uses low-pressure low-discharge plasmas to promote the chemical deposition reactions (see: chemical vapor deposition; compare: low-temperature CVD, mediu, технология химического осаждения из паровой фазы, в которой, чтобы способствовать реакциям химического осаждения, применяется малоразрядная плазма низкого давления (см. химическое осаждение из паровой