increased concentration of solute atoms at crystal defects such as free surfaces, grain boundary, interface, stacking fault, or dislocation (see: grain boundary, interface), lahustunud aatomite suurenenud kontsentratsioon kristalli defektidel, nt nagu vabapinnad, terapiir, kontaktpind, pakkeviga, dislokatsioon (vt terapiir, kontaktpind)